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  • image of FET simples, MOSFET>SIHA150N60E-GE3
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  • Numéro de pièce SIHA150N60E-GE3
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
    Encapsulation Tube
    Quantité 8500
    Prix $3.4700
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantVishay / Siliconix
    SérieE
    EmballerTube
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-220-3 Full Pack
    Type de montageThrough Hole
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C9A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 10A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)179W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id5V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurTO-220 Full Pack
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
    Vgs (Max)±30V
    Tension drain-source (Vdss)600 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1514 pF @ 100 V