Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| Série | TrenchFET® Gen IV |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | PowerPAK® SO-8 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 92.8A (Ta), 415A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 0.58mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 6.25W (Ta), 415W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | PowerPAK® SO-8DC |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Tension drain-source (Vdss) | 25 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10850 pF @ 10 V |