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  • image of FET simples, MOSFET>SI2318A
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  • Numéro de pièce SI2318A
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 9203
    Prix $0.3500
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantUMW
    SérieUMW
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 4.3A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurSOT-23
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)40 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 20 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds340 pF @ 20 V