Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | ROHM Semiconductor |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 24A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 81mOhm @ 12A, 18V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4.8V @ 6.45mA |
| Package d'appareil du fournisseur | TO-263-7LA |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Vgs (Max) | +21V, -4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 18 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1498 pF @ 800 V |