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  • Numéro de pièce PJQ5948V-AU_R2_002A1
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 9500
    Prix $0.5000
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantPANJIT
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-PowerTDFN
    Type de montageSurface Mount
    Configuration2 N-Channel
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Puissance - Max2.4W (Ta), 32W (Tc)
    Tension drain-source (Vdss)40V
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C10.5A (Ta), 35A (Tc)
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds673pF @ 25V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs13.4mOhm @ 10A, 10V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 10V
    Vgs(e) (Max) @ Id3.5V @ 50µA
    Package d'appareil du fournisseurDFN5060B-8
    GradeAutomotive
    QualificationAEC-Q101