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  • Numéro de pièce PJQ5546V-AU_R2_002A1
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 9475
    Prix $0.4100
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantPANJIT
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-PowerVDFN
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C17.7A (Ta), 79A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 20A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)3.3W (Ta), 65W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3.5V @ 50µA
    Package d'appareil du fournisseurDFN5060-8
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)40 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1283 pF @ 25 V
    QualificationAEC-Q101