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  • Numéro de pièce PJQ4437EP-AU_R2_002A1
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 11480
    Prix $0.7200
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantPANJIT
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-PowerVDFN
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETP-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C10A (Ta), 41A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs15.4mOhm @ 10A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)2.5W (Ta), 41W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurDFN3333-8
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
    Vgs (Max)±25V
    Tension drain-source (Vdss)30 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1270 pF @ 25 V
    QualificationAEC-Q101