title
  • image of FET simples, MOSFET>PJMP210N65EC_T0_00601
  • image of FET simples, MOSFET>PJMP210N65EC_T0_00601
  • Numéro de pièce PJMP210N65EC_T0_00601
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
    Encapsulation Tube
    Quantité 7285
    Prix $2.1900
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantPANJIT
    Série-
    EmballerTube
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-220-3
    Type de montageThrough Hole
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C19A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 9.5A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)150W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurTO-220AB-L
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
    Vgs (Max)±30V
    Tension drain-source (Vdss)700 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1412 pF @ 400 V