Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| Série | - |
| Emballer | Plateau |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
| Type de montage | Through Hole |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 200A (Tj) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 40V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | APM12-CBA |
| Grade | Automotive |
| Qualification | AEC-Q100 |