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  • Numéro de pièce NXH100T120L3Q0S1NG
    Classification des produits Modules IGBT
    Description 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
    Encapsulation Plateau
    Quantité 6524
    Prix $60.5700
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantSanyo Semiconductor/onsemi
    Série-
    EmballerPlateau
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseModule
    Type de montageChassis Mount
    SaisirStandard
    ConfigurationThree Level Inverter
    Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 75A
    Thermistance CTNYes
    Package d'appareil du fournisseur18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
    Courant - Collecteur (Ic) (Max)54 A
    Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)650 V
    Puissance - Max122 W
    Courant - Coupure du collecteur (Max)200 µA
    Capacité d'entrée (Cies) @ Vce4877 pF @ 25 V