Spécifications
PDF(1)
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| Série | - |
| Emballer | Plateau |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | Module |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | Silicon Carbide (SiC) |
| Puissance - Max | 1.1kW (Tj) |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 338A (Tj) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16410pF @ 800V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 200A, 18V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 876nC @ 20V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4.4V @ 120mA |
| Package d'appareil du fournisseur | 36-PIM (56.7x62.8) |