Spécifications
PDF(1)
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| Série | - |
| Emballer | Tube |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-247-3 |
| Type de montage | Through Hole |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 99A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 28.5mOhm @ 45A, 18V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 348W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4.3V @ 15.5mA |
| Package d'appareil du fournisseur | TO-247-3 |
| Grade | Automotive |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 164 nC @ 18 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3480 pF @ 325 V |
| Qualification | AEC-Q101 |