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  • image of FET simples, MOSFET>NTMFS2D1N08XT1G
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  • Numéro de pièce NTMFS2D1N08XT1G
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 6500
    Prix $1.8000
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantSanyo Semiconductor/onsemi
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-PowerTDFN, 5 Leads
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C201A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 50A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)164W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3.6V @ 252µA
    Package d'appareil du fournisseur5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)80 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4470 pF @ 40 V