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  • Numéro de pièce NE85633-T1B-A
    Classification des produits Transistors RF bipolaires
    Description SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 33500
    Prix $1.8000
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantCEL (California Eastern Laboratories)
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitOBSOLETE
    Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Type de montageSurface Mount
    Type de transistorNPN
    Température de fonctionnement150°C (TJ)
    Gagner11.5dB
    Puissance - Max200mW
    Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
    Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)12V
    Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
    Fréquence - Transition7GHz
    Facteur de bruit (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
    Package d'appareil du fournisseur3-MINIMOLD