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  • Numéro de pièce MMBT3904
    Classification des produits Transistors bipolaires simples
    Description 200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 230095
    Prix $0.0100
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantAnbon Semiconductor
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Type de montageSurface Mount
    Type de transistorNPN
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
    Courant - Coupure du collecteur (Max)50nA
    Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
    Fréquence - Transition250MHz
    Package d'appareil du fournisseurSOT-23
    Courant - Collecteur (Ic) (Max)200 mA
    Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)40 V
    Puissance - Max300 mW