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  • image of FET simples, MOSFET>IXTP120N20X4
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  • Numéro de pièce IXTP120N20X4
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description MOSFET
    Encapsulation Tube
    Quantité 6828
    Prix $8.2600
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantLittelfuse / IXYS RF
    Série-
    EmballerTube
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-220-3
    Type de montageThrough Hole
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C120A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 60A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)417W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurTO-220 (IXTP)
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)200 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs108 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6100 pF @ 25 V