Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | International Rectifier |
| Série | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | DirectFET™ Isometric MD |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 38A (Ta), 211A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 0.75mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Package d'appareil du fournisseur | DIRECTFET™ MD |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 158 nC @ 4.5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8292 pF @ 10 V |