Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | International Rectifier |
| Série | HEXFET® |
| Emballer | En gros |
| État du produit | OBSOLETE |
| Colis/Caisse | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| Type de montage | Through Hole |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 56A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 99W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 3.7V @ 100µA |
| Package d'appareil du fournisseur | IPAK (TO-251AA) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 75 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3107 pF @ 25 V |