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  • Numéro de pièce IRFAC30
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    Encapsulation En gros
    Quantité 6967
    Prix $5.1000
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantInternational Rectifier
    SérieHEXFET®
    EmballerEn gros
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-204AA, TO-3
    Type de montageThrough Hole
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C3.6A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 3.6A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)75W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurTO-204AA (TO-3)
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)600 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds630 pF @ 25 V