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  • image of FET simples, MOSFET>IPTC026N12NM6ATMA1
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  • Numéro de pièce IPTC026N12NM6ATMA1
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description TRENCH >=100V
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 6500
    Prix $3.4300
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantIR (Infineon Technologies)
    SérieOptiMOS™ 6
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse16-PowerSOP Module
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C26A (Ta), 222A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 115A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)3.8W (Ta), 278W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3.6V @ 169µA
    Package d'appareil du fournisseurPG-HDSOP-16-2
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)120 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs88 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 60 V