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  • image of FET simples, MOSFET>IAUCN04S7L005ATMA1
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  • Numéro de pièce IAUCN04S7L005ATMA1
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description MOSFET_(20V 40V)
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 7485
    Prix $1.2900
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantIR (Infineon Technologies)
    SérieOptiMOS™ 7
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-PowerTDFN
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C430A (Tj)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs0.52mOhm @ 88A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)179W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id1.8V @ 95µA
    Package d'appareil du fournisseurPG-TDSON-8-43
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
    Vgs (Max)±16V
    Tension drain-source (Vdss)40 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs141 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds9415 pF @ 20 V
    QualificationAEC-Q101