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  • image of FET simples, MOSFET>IAUC120N04S6N008ATMA1
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  • Numéro de pièce IAUC120N04S6N008ATMA1
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description MOSFET_(20V 40V)
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 6500
    Prix $1.2300
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantIR (Infineon Technologies)
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-PowerTDFN
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C43A (Ta)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs0.8mOhm @ 60A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)150W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 90µA
    Package d'appareil du fournisseurPG-TDSON-8-43
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)40 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7150 pF @ 25 V
    QualificationAEC-Q101