Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-PowerTDFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 54A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 29.8W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 40 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 942 pF @ 20 V |