Spécifications
PDF(1)
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-PowerTDFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | P-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 103A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 178W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5326 pF @ 30 V |