Spécifications
PDF(1)
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | GaNPower |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-DFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 60A |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 12V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA |
| Package d'appareil du fournisseur | 8-DFN (8x8) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 6 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 400 V |