Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | GaNPower |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8A |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.7V @ 3.5mA |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 63 pF @ 400 V |