Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Série | SiC Schottky MPS™ |
| Emballer | Tube |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-247-2 |
| Type de montage | Through Hole |
| Vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inversée (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Capacité @ Vr, F | 1463pF @ 1V, 1MHz |
| Courant - Moyenne redressée (Io) | 82A |
| Package d'appareil du fournisseur | TO-247-2 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Tension - CC inverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Tension - Direct (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 60 A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10 µA @ 650 V |