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  • Numéro de pièce GCMX040B120S1-E1
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
    Encapsulation Tube
    Quantité 6607
    Prix $25.0800
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantSemiQ
    Série-
    EmballerTube
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseSOT-227-4, miniBLOC
    Type de montageChassis Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C57A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 40A, 20V
    Dissipation de puissance (maximum)242W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 10mA
    Package d'appareil du fournisseurSOT-227
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)20V
    Vgs (Max)+25V, -10V
    Tension drain-source (Vdss)1200 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs121 nC @ 20 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3185 pF @ 1000 V