Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Série | - |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 4-SIP, GBJ |
| Type de montage | Through Hole |
| Type de diode | Single Phase |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | Standard |
| Package d'appareil du fournisseur | GBJ |
| Tension - Inversion de crête (Max) | 1 kV |
| Courant - Moyenne redressée (Io) | 25 A |
| Tension - Direct (Vf) (Max) @ If | 1.05 V @ 12.5 A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10 µA @ 1000 V |