Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Goford Semiconductor |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-PowerVDFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 P-Channel |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 30W (Tc) |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 12A (Tc) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1305pF @ 15V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 3A, 10V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | 8-DFN (3.15x3.05) Dual |