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  • Numéro de pièce G09N06S2
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 10500
    Prix $1.0300
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantGoford Semiconductor
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Type de montageSurface Mount
    Configuration2 N-Channel
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Puissance - Max2.6W (Tc)
    Tension drain-source (Vdss)60V
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C9A (Tc)
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2180pF @ 30V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs47nC @ 10V
    Vgs(e) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseur8-SOP