Spécifications
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TAPER | DESCRIPTION |
Fabricant | Goford Semiconductor |
Série | - |
Emballer | Bande et bobine (TR) |
État du produit | ACTIVE |
Colis/Caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Type de montage | Surface Mount |
Configuration | 2 N-Channel |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Puissance - Max | 2.6W (Tc) |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 9A (Tc) |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 30V |
Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs(e) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Package d'appareil du fournisseur | 8-SOP |