title
  • image of FET simples, MOSFET>FK4B01120L
  • image of FET simples, MOSFET>FK4B01120L
  • Numéro de pièce FK4B01120L
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description SINGLE NCH MOSFET, 12V, 3.9A 17M
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 6500
    Prix $0.5200
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantNuvoton Technology Corporation
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitNOT_FOR_NEW_DESIGNS
    Colis/Caisse4-XFLGA, CSP
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement150°C
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C3.9A (Ta)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Dissipation de puissance (maximum)370mW (Ta)
    Vgs(e) (Max) @ Id1V @ 394µA
    Package d'appareil du fournisseur4-CSP (1x1)
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
    Vgs (Max)±8V
    Tension drain-source (Vdss)12 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 4.5 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds490 pF @ 10 V