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  • image of FET simples, MOSFET>FDZ663P
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  • Numéro de pièce FDZ663P
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
    Encapsulation En gros
    Quantité 66500
    Prix $0.2900
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantFairchild Semiconductor
    SériePowerTrench®
    EmballerEn gros
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse4-XFBGA, WLCSP
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETP-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C2.7A (Ta)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs134mOhm @ 2A, 4.5V
    Dissipation de puissance (maximum)1.3W (Ta)
    Vgs(e) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseur4-WLCSP (0.8x0.8)
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
    Vgs (Max)±8V
    Tension drain-source (Vdss)20 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 4.5 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds525 pF @ 10 V