Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Fairchild Semiconductor |
| Série | PowerTrench® |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 9.4A (Ta) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 1.9W (Ta) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | 6-MicroFET (2x2) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 4.5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 10 V |