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  • Numéro de pièce FBG30N04CSH
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description GANFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
    Encapsulation En gros
    Quantité 6550
    Prix $421.3000
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantEPC Space
    SérieeGaN®
    EmballerEn gros
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse4-SMD, No Lead
    Type de montageSurface Mount
    Configuration2 N-Channel
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
    Tension drain-source (Vdss)300V
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C4A (Tc)
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 150V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs404mOhm @ 4A, 5V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2.6nC @ 5V
    Vgs(e) (Max) @ Id2.8V @ 600µA
    Package d'appareil du fournisseur4-SMD