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  • image of FET simples, MOSFET>FBG20N18BC
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  • Numéro de pièce FBG20N18BC
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
    Encapsulation En gros
    Quantité 6562
    Prix $287.7600
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantEPC Space
    Série-
    EmballerEn gros
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse4-SMD, No Lead
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C18A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 18A, 5V
    Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 3mA
    Package d'appareil du fournisseur4-SMD
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)5V
    Vgs (Max)+6V, -4V
    Tension drain-source (Vdss)200 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 5 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 100 V