Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | EPC Space |
| Série | e-GaN® |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 4-SMD, No Lead |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 4A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Package d'appareil du fournisseur | 4-SMD |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 100 V |