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  • image of FET simples, MOSFET>FBG04N08AC
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  • Numéro de pièce FBG04N08AC
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
    Encapsulation En gros
    Quantité 6666
    Prix $287.7600
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantEPC Space
    Série-
    EmballerEn gros
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse4-SMD, No Lead
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C8A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 8A, 5V
    Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 2mA
    Package d'appareil du fournisseur4-SMD
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)5V
    Vgs (Max)+6V, -4V
    Tension drain-source (Vdss)40 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2.8 nC @ 5 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds312 pF @ 20 V