Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | EPC |
| Série | eGaN® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | Die |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 29A (Ta) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 16A, 5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
| Package d'appareil du fournisseur | Die |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 50 V |