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  • image of FET simples, MOSFET>E3M0075120J2-TR
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  • Numéro de pièce E3M0075120J2-TR
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description 75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 7150
    Prix $11.4200
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantWolfspeed
    SérieE
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C34A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs97.5mOhm @ 17.9A, 15V
    Dissipation de puissance (maximum)172W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3.8V @ 5mA
    Package d'appareil du fournisseurTO-263-7
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)15V
    Vgs (Max)+19V, -8V
    Tension drain-source (Vdss)1200 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 15 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1480 pF @ 1000 V
    QualificationAEC-Q101