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  • image of Matrices FET, MOSFET>DMT10H072LDV-7
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  • Numéro de pièce DMT10H072LDV-7
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 6500
    Prix $0.3200
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-PowerVDFN
    Type de montageSurface Mount
    Configuration2 N-Channel
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Puissance - Max1W (Ta)
    Tension drain-source (Vdss)100V
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C12A (Tc)
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds228pF @ 50V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 4.5A, 10V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
    Vgs(e) (Max) @ Id3V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurPowerDI3333-8 (Type UXC)