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  • image of Matrices FET, MOSFET>DMN52D0UDWQ-13
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  • Numéro de pièce DMN52D0UDWQ-13
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT363 T&R
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 6500
    Prix $0.0600
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Type de montageSurface Mount
    Configuration2 N-Channel
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Puissance - Max300mW
    Tension drain-source (Vdss)50V
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C350mA (Ta)
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds42.3pF @ 25V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 10V
    Vgs(e) (Max) @ Id1V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurSOT-363
    GradeAutomotive
    QualificationAEC-Q101