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  • image of FET simples, MOSFET>DI5A7N65D1K
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  • Numéro de pièce DI5A7N65D1K
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description IC
    Encapsulation En gros
    Quantité 6500
    Prix $0.8400
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantDiotec Semiconductor
    Série-
    EmballerEn gros
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C5.7A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs430mOhm @ 4A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)36W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurTO-252 (DPAK)
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
    Vgs (Max)±30V
    Tension drain-source (Vdss)650 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs18.4 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds722 pF @ 325 V