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  • image of Matrices FET, MOSFET>DI016N06PQ2-AQ
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  • Numéro de pièce DI016N06PQ2-AQ
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description IC
    Encapsulation En gros
    Quantité 6500
    Prix $0.2500
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantDiotec Semiconductor
    Série-
    EmballerEn gros
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-PowerTDFN
    Type de montageSurface Mount
    Configuration2 N-Channel
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Puissance - Max16.7W (Tc)
    Tension drain-source (Vdss)60V
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C16A (Tc)
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1260pF @ 30V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 15A, 10V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
    Fonctionnalité FETLogic Level Gate
    Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurTDSON-8-4
    GradeAutomotive
    QualificationAEC-Q101