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  • image of FET simples, MOSFET>DI010N03PW-AQ
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  • Numéro de pièce DI010N03PW-AQ
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description IC
    Encapsulation En gros
    Quantité 6500
    Prix $0.1500
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantDiotec Semiconductor
    Série-
    EmballerEn gros
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse6-PowerUDFN
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C10A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)1.4W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id2V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseur6-QFN (2x2)
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)30 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1120 pF @ 15 V
    QualificationAEC-Q101