Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Cambridge GaN Devices |
| Série | ICeGaN™ |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-PowerVDFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8.5A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
| Fonctionnalité FET | Current Sensing |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4.2V @ 2.75mA |
| Package d'appareil du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 9V, 20V |
| Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V |