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  • Numéro de pièce CAB530M12BM3
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE
    Encapsulation Plateau
    Quantité 6507
    Prix $945.9100
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    PDF(2)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantWolfspeed
    Série-
    EmballerPlateau
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseModule
    Type de montageChassis Mount
    Configuration2 N-Channel
    Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieSilicon Carbide (SiC)
    Tension drain-source (Vdss)1200V (1.2kV)
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C530A
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds39600pF @ 800V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs3.55mOhm @ 530A, 15V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs1362nC @ 4V
    Vgs(e) (Max) @ Id3.6V @ 140mA
    Package d'appareil du fournisseurModule