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  • Numéro de pièce C3M0120065K
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description 650V 120M SIC MOSFET
    Encapsulation Tube
    Quantité 7097
    Prix $9.4200
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantWolfspeed
    SérieC3M™
    EmballerTube
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-247-4
    Type de montageThrough Hole
    Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C22A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs157mOhm @ 6.76A, 15V
    Dissipation de puissance (maximum)98W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3.6V @ 1.86mA
    Package d'appareil du fournisseurTO-247-4L
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)15V
    Vgs (Max)+19V, -8V
    Tension drain-source (Vdss)650 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 15 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 400 V