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  • Numéro de pièce C3M0025065J1-TR
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 7300
    Prix $20.5300
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantWolfspeed
    SérieC3M™
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C80A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 33.5A, 15V
    Dissipation de puissance (maximum)271W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3.6V @ 9.22mA
    Package d'appareil du fournisseurTO-263-7
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)15V
    Vgs (Max)+19V, -8V
    Tension drain-source (Vdss)650 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 15 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2980 pF @ 400 V