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  • Numéro de pièce BY25Q128ESWIG(R)
    Classification des produits Mémoire
    Description 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 9499
    Prix $0.6700
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantBYTe Semiconductor
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-WDFN Exposed Pad
    Type de montageSurface Mount
    Taille mémoire128Mbit
    Type de mémoireNon-Volatile
    Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
    Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
    TechnologieFLASH - NOR (SLC)
    Fréquence d'horloge120 MHz
    Format de mémoireFLASH
    Package d'appareil du fournisseur8-WSON (5x6)
    Temps de cycle d'écriture - Word, Page60µs, 2.4ms
    Interface mémoireSPI - Quad I/O
    Temps d'accès7.5 ns
    Organisation de la mémoire16M x 8